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(a)电路;(b)波形
在0~t8期间,正组晶闸管VT1、VT3加有触发脉冲,VT1在交流电压正半周时触发导通,VT3在交流电压负半周时触发导通,结果在负载上得到Uo1电压为正电压。
在t8~t16期间,反组晶闸管VT2、VT4加有触发脉冲,VT2在交流电压正半周时触发导通,VT4在交流电压负半周时触发导通,结果在负载上得到Uo1电压为负电压。
在0~t16期间,负载上的电压Uo1极性出现变化,这种极性变化的电压即为交流电压。如果让触发脉冲的α角按一定的规律改变,会使负载上的电压有效值呈正弦波状变化,如图3-32 (b) Uo2电压所示。如果图3-32电路的输入交流电压Ui的频率为50Hz,不难看出,负载上得到电压Uo的频率为50/4=12.5Hz。
(2)三相输入型单相交-交变频电路。图3-33 (a)是一种典型三相输入型单相交-交变频电路,它主要由正桥P和负桥N两部分组成,正桥工作时为负载R提供正半周电流,负桥工作时为负载提供负半周电流,图3-33 (b)为图3-33 (a)的简化图,三斜线表示三相输入。
当三相交流电压Ua、Ub、Uc输入电路时,采用合适的触发脉冲控制正桥和负桥晶闸管的导通,会在负载R上得到图3-33 (c)所示的Uo电压(阴影面积部分),其有效值相当一个虚线所示的频率很低的正弦波交流电压。
信调速既可实现无级调速,也可实现自动控制,应用灵活方便。S7-300/400 PLC与MM440变频器可进行USS和PROFIBUS通信。MM440变频器也只能作PROFIBUS-DP从站,不能作PROFIBUS-DP主站,而且MM440变频器用做从站时要配置通信模板。
①1套 STEP 7 V5.4SP4。
②1台MM440变频器(含PROFIBUS模板)。
③1台CPU 314C-2DP。
④1台电动机。
⑤1根编程电缆(或者CP5611卡)。
⑥1根PROFIBUS屏蔽双绞线。
⑦1台HMI。
硬件配置如图8-16所示。
德国的3相50Hz电网和单相162/3Hz铁路网间的电力变换使用100MVA背靠背变频器(见图10-58)。IGCT串联简单又可靠,其技术构想很快为人们所接受。1996年7月完成了试运,1996年9月整套装置正式投入运行。
以VSC(电压型变频器)为基础的铁路变频器技术雏形已经在瑞士联邦铁路( SBB)的两台20MVA的变频器上连续运行。在拖动的装置以普通串联GTO技术为基础。
为用于100MVA的变流器,进行了下述技术革新:
(1)具有低感外壳的*一代IGCT。
(2)6只IGCT的串联。
(3)低电感大功率IGCT逆变器。
(4)无快速熔断器大功率IGCT逆变器。
用于100MVA变频器的大功率逆变器模块,包含多种技术革新(IGCT、串联、新式低感逆变器设计)。因此,在开发初期,就应用了新型的电力电子验证方法。
为满足用户需要,以VSC为基础的变频器采用如下技术方案:
(1)3相50Hz侧的变频器以普通的反关联12脉冲品闸管桥为基础。
(2)采用谐波滤波器,将50Hz电网的干扰减至规定的水平。
采用串联IGCT的100MVA变频器
图10-58 采用串联IGCT的100MVA变频器
(3)晶闸管变流器直接馈入10kV直流中间电路。其中,为消除由单相16?Hz电网产生的功率波动,加装了33?Hz的滤波器。
(4)路网侧的IGCT逆变器由288只IGCT构成。按N=4+2方式排列成24个无快熔模块。双相桥模块接至绕组的变压器线圈。路网侧变压器的12组线圈构成一个25级的逆变器。这种多级原理使路网侧的IGCT逆变器能不需要滤波器运行(见图10-59)。
16?Hz路网侧逆变器的电压与电流百分比(已由短路阻抗平波)
图10-59 16?Hz路网侧逆变器的电压与电流百分比(已由短路阻抗平波)
(5)总共24只IGCT的组成四组直流电压斩波器。
应用IGCT技术的*一台100MVA装置于1996年中期投入商业营运。迄今,运行情况良好。该装置共有300多只IGCT,其中只有1只因发光二极管的接触问题而损坏。IGCT技术的预期高可靠性指标从此得到了证实(每IGCT位置500FIT)。
由于串联有冗余的IGCT器件减少了电压应力,由此形成了装置的高可靠性。将来,无吸收运行还能进一步减少部件数量从而进一步提高可靠性。
单只IGCT的高可靠性是重要的技术基础,IGCT具有的这种高可靠性,以及将关断器件串联来实现变频器的冗余设计,二者结合是未来电力变频器的支柱技术,对新型FACTS(柔性变流输电系统)和民用电力市场来说尤为如此。
图10-35 12脉波二极管整流的SIMOVERT MV装置
*二种采用可选的24脉冲二极管整流器,输出变压器应有四个次级,24只二极管。它适用于要求反馈电网谐波特别少,干扰特别低的场合,但是价格会昂贵些。
*三种采用有源前端的AFE高性能三电平PWM有源变流器。它可提供四象限运行。不仅可实现cosφ=1.0,而且可对同*路上其他负载进行无功补偿。若具有输入滤波器的AFE有源前端整流器,几乎可以不向电网反馈谐波电流。当然,这种采用AFE高动态性能的SIMOVERT MV装置,控制线路复杂,价格昂贵,一般情况不采用。
SIMOVERT MV装置三相逆变器采用三电平PWM技术,可获得优良的输出电压特性,以及谐波分量小的正弦的电流波形,使电动机有较佳的转矩特性,降低电动机损耗。电力电子器件采用全新的HV-IGBT技术,使装置的结构简单紧凑,不需要缓冲电路,可靠性大大提高。
日本富士公司的3.3kV/1250/1875/2500kVA中压变频器采用了12脉波三电平方案,如图10-36所示。
12脉冲三电平中压变频器
图10-36 12脉冲三电平中压变频器
(a)电路;(b)回路;(c)输出波形
(1) PC923和PC929芯片介绍。PC923是一种光电耦合驱动器,其内部结构如图5-15所示,当2、3脚之间加高电平时,输出端的三极管VT1导通,5脚与6脚相通,当2、3脚之间为低电平时,输出端的三极管VT2导通,6脚与7脚相通。PC923允许输入电流范围为5~20mA,较大输出电流为±0. 4A,输入与输出光电隔离较大为5000V,电源允许范围为15~30V。
PC923芯片内部结构
图5-15 PC923芯片内部结构
PC929也是一种光电耦合驱动器,内部不但有光电耦合器和输出放大器,还带有IGBT保护电路。PC929内部结构如图5-16所示,其输入输出关系见表5-2,例如当IF端输入为ON(即3、2脚之间为高电平,光电耦合器导通)时,如果C端输入为高电平,则输出端的三极管VT1导通,11脚与12脚相通,V o2端输出高电平,FS端输出为高电平。
PC929芯片内部结构
图5-16 PC929芯片内部结构
表5-2 PC929输入输出关系
PC929输入输出关系
(2)由PC923和PC929构成的驱动电路分析。图5-17是由PC923和PC929构成的U相驱动电路,用来驱动U相上、下臂IGBT,另外该电路还采用IGBT保护电路。
1)驱动电路工作原理。开关变压器TC2二次绕组上的感应电动势经整流二极管VD15对C13、C14充得28V电压,该电压由R22、VZD1分成18V和10V,以R22、VZD1连接点为0V,则R22上端电压为+18V,VZD1下端电压为-10V,+18V送到PC2 (PC923)的8脚(Vcc),-10V电压送到PC2的7脚(GND)。在变频器正常工作时,CPU会送U+相脉冲到PC2的2脚,当脉冲低电平来时,PC2输入为ON(光电耦合器导通),5、6脚内部的三极管导通,+18V电压→PC2的5脚→PC2内部三极管VT1→PC2的6脚→R21降压→VT3、VT4的基较,VT3导通,+18V电压经VT3、R27送到上桥臂IGBT的G较,IGBT的E较接VZD1的负极,E较电压为0V,故上桥臂的IGBT因UGE电压为正电压而导通。
在CPU送到低电平U-脉冲到PC2时,会送高电平U脉冲到PC3的2脚,PC3输入为OFF,PC3的11、10脚内部的三极管VT6导通,-10V电压→PC3的10脚→VT6→PC3的11脚→R95降压→VT8、VT9的基较,VT9导通,下桥臂IGBT的G较通过R101、VT9接-10V,IGBT的E较接VZD2的负极,E较电压为0V,故下桥臂的IGBT因UGE电压为负电压而截止。
1)驱动电路工作原理。开关变压器T1二次绕组L11上的感应电动势经整流二极管VD54对C27、C28充得24. 5V电压,该电压由R108、VS49分成15V和9.5V,以R108、VS49的连接点为0V,则R108上端电压为+15V,VS49下端电压为-9. 5V,+15V送到U14 (TLP250)的8脚(Vcc),-9. 5V电压送到U14的5脚(GND)。在变频器正常工作时,CPU会送U相脉冲到U14的2、3脚,当脉冲高电平来时,U14的8、7脚内部的三极管导通,+15V电压→U14的8脚→U14内部三极管→U14的7脚→R119、R106降压→VT26、VT27的基较,VT26导通,+15V电压经VT26、R166送到上桥臂IGBT的G较,而IGBT的E较接VS49的负端,E较电压为0V,故上桥臂的IGBT因UGE电压为正电压而导通。
当CPU送到U14的2、3脚的U+脉冲为高电平时,送到U19的2、3脚的U脉冲则为低电平,U19的7、5脚内部的三极管导通,-9.5V电压→U19的5脚→U19内部三极管→U19的7脚→R171、R163降压→VT31、VT32的基较,VT32导通,下桥臂IGBT的G较通过R168、VT32接-9.5V,而IGBT的E较接VS65的负端,E较电压为0V,故下桥臂的IGBT因UGE电压为负电压而截止。
2)保护电路。U13 (TLP750)、VT24、VS46、VD45、VD47等元件构成上桥臂IGBT保护电路。
当上桥臂IGBT正常导通时,其C、E较之间压降很低(约2V左右),VD45正极电压也较低,不足于击穿稳压二极管VS46,保护电路不工作。如果上桥臂IGBT出现过流情况,IGBT的C、E较之间的压降增大,VD45正极电压升高,如果电压大于9V,稳压二极管VS46会被击穿,有电流流过VT24的发射结,VT24导通,一方面二极管VD48导通,VD48正极电压接近0V,VT26因基较电压接近0V而由导通转为截止,上桥臂IGBT失去G较电压而截止,从而避免IGBT因电流过大而烧坏,另一方面VT24导通使U13内部光电耦合器导通,U13的6、5脚内部接通,6脚输出低电平,该电平作为GF/OC(接地/过流)信号去CPU。在上桥臂IGBT截止期间,IGBT的压降也很大,但VD45正极电压不会因此上升,这是因为此期间U14的7脚输出电压为-9. 5V,VD47导通,将VD45正极电压拉低,稳压二极管VS46无法被击穿,即保护电路在IGBT截止期间不工作。
驱动电路基本工作原理说明图
开关变压器T1二次绕组上的感应电动势经VD1对C1、C2充电,在C1、C2两端充得22. 5V电压,稳压二极管VS1的稳压值为7.5V,VS1两端电压维持7.5V不变(**过该值VS1会反向导通),电阻R两端电压则为15V,a、b、c点电压关系为Ua>Ub>Uc,如果将b点电位当作0V,那么a点电压为+15V,c点电压为-7.5V。在电路工作时,CPU产生的驱动脉冲送到驱动芯片内部,当脉冲高电平来时,驱动芯片内部等效开关接“1”,a点电压经开关送到IGBT的G较,IGBT的E较固定接b点,IGBT的G、E之间电压UGE=+15V,正电压UGE使IGBT导通,当脉冲低电平来时,驱动芯片内部等效开关接“2”,c点电压经开关送到IGBT的G较,IGBT的E较固定接b点,故IGBT的G、E之间的UGE=-7. 5V,负电压UGE可以有效地使IGBT截止。
从理论上讲,IGBT的UGE=0V时就能截止,但实际上IGBT的G、E较之间存在结电容,当正驱动脉冲加到IGBT的G较时,正的UCE电压会对结电容存得一定电压,正驱动脉冲过后,结电容上的电压使G较仍**E较,IGBT会继续导通,这时如果送负驱动脉冲到IGBT的G较,可以*中和结电容上的电荷而让IGBT由导通转为截止。
驱动电路基本工作原理说明图
开关变压器T1二次绕组上的感应电动势经VD1对C1、C2充电,在C1、C2两端充得22. 5V电压,稳压二极管VS1的稳压值为7.5V,VS1两端电压维持7.5V不变(**过该值VS1会反向导通),电阻R两端电压则为15V,a、b、c点电压关系为Ua>Ub>Uc,如果将b点电位当作0V,那么a点电压为+15V,c点电压为-7.5V。在电路工作时,CPU产生的驱动脉冲送到驱动芯片内部,当脉冲高电平来时,驱动芯片内部等效开关接“1”,a点电压经开关送到IGBT的G较,IGBT的E较固定接b点,IGBT的G、E之间电压UGE=+15V,正电压UGE使IGBT导通,当脉冲低电平来时,驱动芯片内部等效开关接“2”,c点电压经开关送到IGBT的G较,IGBT的E较固定接b点,故IGBT的G、E之间的UGE=-7. 5V,负电压UGE可以有效地使IGBT截止。
从理论上讲,IGBT的UGE=0V时就能截止,但实际上IGBT的G、E较之间存在结电容,当正驱动脉冲加到IGBT的G较时,正的UCE电压会对结电容存得一定电压,正驱动脉冲过后,结电容上的电压使G较仍**E较,IGBT会继续导通,这时如果送负驱动脉冲到IGBT的G较,可以*中和结电容上的电荷而让IGBT由导通转为截止。